场效应管从结构上可分为两大类

按结构可分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）

结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。绝缘栅场效应管主要指金属--氧化物--半导体场效应管（MOS管） 。MOS管又分为“耗尽型”和“增强型”两种，而每一种又分为N沟道和P沟道 。

结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽区的宽窄来控制电流的，输入电阻（105～1015）之间

  绝缘栅型是利用感应电荷的多少来控制导电沟道的宽窄从而控制电流的大小，其输入阻抗很高(栅极与其它电极互相绝缘)。它在硅片上的集成度高，因此在大规模集成电路中占有极其重要的地位 。