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A29T基本参数：VDS = 30V， ID =5.8A，RDS(ON) < 28mΩ @ VGS=10V。
a29t是N沟道MOS场效应三极管，采用先进的沟槽技术，高密度、低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置，最大功率1.4W。
a29t三极管主要参数：
漏源电压（VDS ）：30 V
A29T基本参数：VDS = 30V， ID =5.8A，RDS(ON) < 28mΩ @ VGS=10V。
a29t是N沟道MOS场效应三极管，采用先进的沟槽技术，高密度、低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置，最大功率1.4W。
a29t三极管主要参数：
漏源电压（VDS ）：30 V
